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速度比U盘快万倍的存储技术

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近日,复旦大年夜学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易掉存储原型器件,创始了第三类存储技巧,写入速率比今朝U盘快一万倍,数据存储光阴也可自行抉择。这办理了国际半导体电荷存储技巧中“写入速率”与“非易掉性”难以兼得的难题。

北京光阴4月10日,相关成果在线颁发于《自然·纳米技巧》杂志。

4月11日,复旦大年夜学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

据懂得,今朝半导体电荷存储技巧主要有两类,第一类是易掉性存储,例如谋略机中的内存,掉落电后数据会急速消掉;第二类长短易掉性存储,例如人们常用的U盘,在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒阁下写入数据,第二类电荷存储技巧必要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

这次研发的新型电荷存储技巧,既满意了10纳秒写入数据速率,又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易掉特点。这种全新特点不仅在高速内存中可以极大年夜低落存储功耗,同时能实现数据有效期截止后自然消掉,在特殊利用处景办理了保密性和传输的抵触。

4月11日,复旦大年夜学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。

这项钻研立异性地选择多重二维材料堆叠构成了半浮栅布局晶体管:二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分手用于开关电荷输运和储存,氮化硼作为隧穿层,制成阶梯能谷布局的范德瓦尔斯异质结。

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